Stefano Chiussi

TITULAR DE UNIVERSIDAD - TIEMPO COMPLETO

Department

Docencia

2025/2026
°Õ¾±³Ù³Ü±ô²¹³¦¾±²Ô Materia Nome °ä²¹°ù³¦. Horas
11469 21774 Fsica: Fundamentos de mecnica y termodinmica 39.00
11471 21868 Fsica: Fundamentos de mecnica y termodinmica 0.00
10395 27729 Introduccin a las Técnicas de preparacin y caracterizacin de nanoestructuras 0.00
10395 27733 Nanoelectrnica: Conceptos, materiales y aplicaciones 0.00
10352 28325 Biomateriales avanzados e ingeniera tisular 7.00
10406 53212 Procesos de biofabricacin avanzada I 6.00
11585 53338 Fsica general para telecomunicacin 41.20
11586 53414 Fsica general para telecomunicacin 39.00
2024/2025
°Õ¾±³Ù³Ü±ô²¹³¦¾±²Ô Materia Nome °ä²¹°ù³¦. Horas
11469 21774 Fsica: Fundamentos de mecnica y termodinmica 82.00
11471 21868 Fsica: Fundamentos de mecnica y termodinmica 39.00
10395 27729 Introduccin a las Técnicas de preparacin y caracterizacin de nanoestructuras 6.00
10395 27733 Nanoelectrnica: Conceptos, materiales y aplicaciones 7.00
10395 28301 Trabajo Fin de Mster 0.00
10352 28325 Biomateriales avanzados e ingeniera tisular 7.00
10406 53212 Procesos de biofabricacin avanzada I 2.00
2023/2024
°Õ¾±³Ù³Ü±ô²¹³¦¾±²Ô Materia Nome °ä²¹°ù³¦. Horas
V11M188V01 M188104 Introduccin s Técnicas de preparacin e caracterizacin de nanoestructuras OB 6
V11M188V01 M188108 Nanoelectrnica: Conceptos, materiais e aplicacins OP 9
V11M188V01 M188208 Traballo Fin de Mster OB 30
V05G301V01 G301103 Fsica: Fundamentos de mecnica e termodinmica FB 79
V05G306V01 G306103 Fsica: Fundamentos de mecnica e termodinmica FB 39
V04M192V01 M192106 Biomateriales avanzados e enxeara tisular OB 7
2022/2023
°Õ¾±³Ù³Ü±ô²¹³¦¾±²Ô Materia Nome °ä²¹°ù³¦. Horas
V04M192V01 M192106 Biomateriales avanzados e enxeara tisular OB 7
V05G301V01 G301103 Fsica: Fundamentos de mecnica e termodinmica FB 97
V11M188V01 M188208 Traballo Fin de Mster OB 30
V11M188V01 M188104 Introduccin s Técnicas de preparacin e caracterizacin de nanoestructuras OB 6
V11M188V01 M188108 Nanoelectrnica: Conceptos, materiais e aplicacins OP 9
V05G306V01 G306103 Fsica: Fundamentos de mecnica e termodinmica FB 28
2021/2022
°Õ¾±³Ù³Ü±ô²¹³¦¾±²Ô Materia Nome °ä²¹°ù³¦. Horas
V05G301V01 G301103 Fsica: Fundamentos de mecnica e termodinmica FB 108
V11M188V01 M188208 Traballo Fin de Mster OB 30
V11M188V01 M188104 Introduccin s Técnicas de preparacin e caracterizacin de nanoestructuras OB 6
V11M188V01 M188108 Nanoelectrnica: Conceptos, materiais e aplicacins OP 9
V05G306V01 G306103 Fsica: Fundamentos de mecnica e termodinmica FB 28
2020/2021
°Õ¾±³Ù³Ü±ô²¹³¦¾±²Ô Materia Nome °ä²¹°ù³¦. Horas
V11M188V01 M188104 Introduccin s Técnicas de preparacin e caracterizacin de nanoestructuras OB 6
V11M188V01 M188108 Nanoelectrnica: Conceptos, materiais e aplicacins OP 8
V05G301V01 G301103 Fsica: Fundamentos de mecnica e termodinmica FB 116
V05G306V01 G306103 Fsica: Fundamentos de mecnica e termodinmica FB 28
2019/2020
°Õ¾±³Ù³Ü±ô²¹³¦¾±²Ô Materia Nome °ä²¹°ù³¦. Horas
V05G306V01 G306103 Fsica: Fundamentos de mecnica e termodinmica FB 56
V05G301V01 G301103 Fsica: Fundamentos de mecnica e termodinmica FB 76

    2023/2024

    Automatizacin de medicins eléctricas mediante LabVIEW de capas de semicondutores nun ambiente de sala limpa. - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007
    Automatizacin dunha estacin de traballo en sala limpa ISO-7 para estruturacin de chips mediante lser pulsado. - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007

    2024/2025

    Fabricacin de dispositivos de aislamento celular con sistemas micro-fludicos mediante técnicas lser - Traballo Fin de Mster RD 1393/2007

    2022/2023

    Producin de MoS2 para semicondutores. Obtencin e optimizacin do proceso. - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007

    2021/2022

    Procesamento laser do SiC e a sua caracterizacin - Traballo Fin de Mster RD 1393/2007

    2020/2021

    Dispositivos Lab-on-a-chip compatibles - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007

    2016/2017

    Fabricacin e caracterizacin de contactos metal-semicondutor para microelectrnica - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007
    Producin de dodos de Silicio mediante procesamento lser e caracterizacin dos memos - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007

    2015/2016

    Procesamento lser de aliaxes heteroepitaxiais de Xermanio-Chumbo (GePb) para heteroestruturas con salto de banda directo - Traballo Fin de Grao RD 1393/2007